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VBP104FAS, VBP104FASR
www.vishay.com
BASIC CHARACTERISTICS (T amb = 25 °C, unless otherwise specified)
Vishay Semiconductors
PARAMETER
Forward voltage
Breakdown voltage
Reverse dark current
Diode capacitance
Open circuit voltage
Temperature coefficient of V o
Short circuit current
Temperature coefficient of I k
Reverse light current
TEST CONDITION
I F = 50 mA
I R = 100 μA, E = 0
V R = 10 V, E = 0
V R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
V R = 3 V, f = 1 MHz, E = 0
E e = 1 mW/cm 2 , λ = 950 nm
E e = 1 mW/cm 2 , λ = 950 nm
E e = 1 mW/cm 2 , λ = 950 nm
E e = 1 mW/cm 2 , λ = 950 nm
E e = 1 mW/cm 2 , λ = 950 nm,
V R = 5 V
SYMBOL
V F
V (BR)
I ro
C D
C D
V o
TK Vo
I k
TK Ik
I ra
MIN.
60
25
TYP.
1
2
48
17
350
- 2.6
32
0.1
35
MAX.
1.3
30
40
UNIT
V
V
nA
pF
pF
mV
mV/K
μA
%/K
μA
Angle of half sensitivity
Wavelength of peak sensitivity
Range of spectral bandwidth
?
λ p
λ 0.5
± 65
950
780 to 1050
deg
nm
nm
Noise equivalent power
Rise time
Fall time
V R = 10 V, λ = 950 nm
V R = 10 V, R L = 1 k Ω ,
λ = 820 nm
V R = 10 V, R L = 1 k Ω ,
λ = 820 nm
NEP
t r
t f
4 x 10 -14
100
100
W/ √ Hz
ns
ns
BASIC CHARACTERISTICS (T amb = 25 °C, unless otherwise specified)
1000
1.4
100
1.2
V R = 5 V
λ = 950 nm
1.0
10
0. 8
V R = 10 V
1
0.6
20
40
60
8 0
100
0
20
40
60
8 0
100
94 8 403
T am b - Am b ient Temperat u re (°C)
94 8 409
T am b - Am b ient Temperat u re (°C)
Fig. 1 - Reverse Dark Current vs. Ambient Temperature
Fig. 2 - Relative Reverse Light Current vs. Ambient Temperature
Rev. 1.2, 24-Aug-11
2
Document Number: 81169
For technical questions, contact: detectortechsupport@vishay.com
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